HGTG10N120BND — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Код товара: 550009

HGTG10N120BND (10N120BND) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: ONS

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Описание (ENG): IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Корпус: TO-247

Тип упаковки: Tube (туба)

Количество в упаковке: 30

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: 6.7 кг

Температура: Не указана

Примечание: Не указано

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 10.09.2025 13:40

Классы: Транзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы