Даташит

Посмотреть даташит Скачать даташит

Запросить ценовое предложение

Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

YJB70G10A — Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ

Name: YJB70G10A
Brand: YangJie
SKU: 1039414
Price: 35.16 RUB
Availability: InStock

Код товара: 1039414

YJB70G10A (70G10A) — Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ.

Цена от: 35,16 руб.

Купить YJB70G10A оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель	YangJie
Описание	Корпус TO263, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 70 А, Rот.(мин) 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.2 мОм, Rот.при Uз(ном), max 8.8 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 32 нКл, Р=125 Вт, Сз=2 270пФ
Описание (ENG)	100V 70A 7.2m-@10V,20A 125W 1.8V@250uA 36pF@50V N Channel 2.27nF@50V 32nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-263 MOSFETs ROHS
Количество в упаковке	800
Единица товара	1
Единица измерения	шт
Дата и время обновления	18.12.2025 05:55
Классы	Транзисторы > Полевые транзисторы > Одиночные MOSFET транзисторы