FF150R12RT4HOSA1 — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Код товара: 139799

FF150R12RT4HOSA1 (150R12RT4HOSA1) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: INF

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Описание (ENG): IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray

Корпус: 34 mm

Тип упаковки: Tray (палетта)

Количество в упаковке: 10

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: 182.2 кг

Температура: Не указана

Примечание: Не указано

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 05.09.2025 20:37

Классы: Транзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Силовые модули IGBT