HGT1S10N120BNST — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Код товара: 201331

HGT1S10N120BNST (1S10N120BNST) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: ONS

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Описание (ENG): IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Корпус: TO-263AB

Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)

Количество в упаковке: 800

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: Не указан

Температура: Не указана

Примечание: Не указано

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 10.09.2025 01:59

Классы: Транзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы