HGTP10N120BN - ONS

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: HGTP10N120BN (ID: 201335)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.

HGTP10N120BN — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Код товара: 201335

HGTP10N120BN (10N120BN) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель: ONS

Сокращённое наименование: Не указано

Описание: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Описание (ENG): IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Корпус: TO-220AB

Тип упаковки: Tube (туба)

Количество в упаковке: 50

Единица товара: 1

Единица измерения: шт

Вес брутто: 3.06 кг

Температура: Не указана

Примечание: Не указано

Количество в пути: 0 шт.

Дата и время обновления: 10.09.2025 01:59

Классы: Транзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы

Цена от: 539,94 руб.

Внешний логистический центр

Срок доставки: 27–32 дней ?
В течение указанного срока товар отгружается с внешнего склада, проходит проверку и комплектацию и доставляется в Москву для последующей отгрузки покупателю. Срок поставки ориентировочный, но более чем в 99% случаев фактические сроки соответствуют заявленным.
Наличие: 50 шт.
Мин: 15 шт.
СтупеньЦена
15+ 642,36 ₽
22+ 553,92 ₽
43+ 539,94 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽