Купить HGTG10N120BND ONS оптом в Москве

Даташит

Запросить ценовое предложение

Товар: HGTG10N120BND (ID: 550009)
Количество:
Email:
  • Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
  • Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
  • Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
  • Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

HGTG10N120BND — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Код товара: 550009

HGTG10N120BND (10N120BND) — Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А.

Цена от: 277,62 руб.

Купить HGTG10N120BND оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

ПроизводительONS
ОписаниеБиполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Описание (ENG)IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
КорпусTO-247
Тип упаковкиTube (туба)
Количество в упаковке30
Единица товара1
Единица измеренияшт
Вес брутто6.7 г.
Дата и время обновления16.12.2025 13:31
КлассыТранзисторы > IGBT (БТИЗ) транзисторы > Одиночные IGBT транзисторы

В наличии

Доставка и оплата

Купить HGTG10N120BND оптом или в розницу в Москве, доставка по России. Цена от 277,62 руб.. Условия оплаты и доставки уточняйте у менеджеров.

Цена от: 277,62 руб.

Оптовый склад ВМ-Сфера

Срок: В наличии
Срок комплектации: 2–7 дней ?
Наличие: 31 шт.
Мин: 2 шт.
СтупеньЦена
1+ 294,36 ₽
5+ 291,42 ₽
9+ 287,88 ₽
17+ 283,50 ₽
30+ 277,62 ₽
Стоимость: 0 ₽
Срок: В наличии
Срок комплектации: 2–7 дней ?
Наличие: 5 шт.
Мин: 2 шт.
СтупеньЦена
1+ 294,36 ₽
5+ 291,42 ₽
9+ 287,88 ₽
17+ 283,50 ₽
30+ 277,62 ₽
Стоимость: 0 ₽

Поставка с внешнего склада

Срок доставки: 7–12 дней ?
Наличие: 10 шт.
Мин: 4 шт.
СтупеньЦена
4+ 454,32 ₽
10+ 440,34 ₽
Стоимость: 0 ₽
Итого по всем складам: 0 ₽