Даташит

Даташит отсутствует

Запросить ценовое предложение

Если нужного товара нет на складе или требуется большее количество — мы поставим его под заказ.
Направляйте заявки на info@vm-sfera.ru, Telegram или WhatsApp — наши специалисты подберут оптимальные условия и сроки.
Мы работаем только с юридическими лицами. Оплата — безналичным расчётом. Минимальную сумму заказа уточняйте у менеджеров.
Доставка по Москве и России: условия и сроки уточняйте у менеджеров.

YJS4447B — Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ

Name: YJS4447B
Brand: YangJie
SKU: 935395
Price: 34.56 RUB
Availability: InStock

Код товара: 935395

YJS4447B (4447B) — Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ.

Цена от: 34,56 руб.

Купить YJS4447B оптом или в розницу в Москве, доставка по России.

Основные характеристики

Технические характеристики

Производитель	YangJie
Описание	Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ
Описание (ENG)	30V 18A 5m-@10V,15A 3.4W 1.8V@250uA 477pF@15V P Channel 6.464nF@15V 111.7nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOP-8 MOSFETs ROHS
Количество в упаковке	4000
Единица товара	1
Единица измерения	шт
Дата и время обновления	17.12.2025 13:51
Классы	Транзисторы > Полевые транзисторы > Одиночные MOSFET транзисторы